Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT2K6P15T

GT2K6P15T
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
SGT
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-150 V
Drain current
-11 A
Power dissipation
58 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяGT2K6P15T
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияSGT
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-150 V
Drain current-11 A
Power dissipation58 W
КорпусTO220
Gate-source voltage±20 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge28nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; SGT; unipolar; -150V; -11A; 58W; TO220

Документация

Документы пока не предоставлены.