Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT2K6P15S

GT2K6P15S
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
SGT
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-150 V
Drain current
-2 A
Power dissipation
1.8 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяGT2K6P15S
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияSGT
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-150 V
Drain current-2 A
Power dissipation1.8 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge36nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; SGT; unipolar; -150V; -2A; 1.8W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.