Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT2K0P20T

GT2K0P20T
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
SGT
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-200 V
Drain current
-19 A
Power dissipation
138 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяGT2K0P20T
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияSGT
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-200 V
Drain current-19 A
Power dissipation138 W
КорпусTO220
Gate-source voltage±20 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge70nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; SGT; unipolar; -200V; -19A; 138W; TO220

Документация

Документы пока не предоставлены.