Антава

TOSHIBA

Транзистор GT20N135SRA,S1E(S

Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
1.35 kV
Collector current
20 A
Рассеиваемая мощность
312 W
Корпус
TO247
Gate-emitter voltage
±25 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяGT20N135SRA,S1E(S
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage1.35 kV
Collector current20 A
Рассеиваемая мощность312 W
КорпусTO247
Gate-emitter voltage±25 V
Pulsed collector current80 A
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Turn-on time23µs
Turn-off time71µs
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 1.35kV; 20A; 312W; TO247

Документация

Документ производителя