Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT1K2N10I

GT1K2N10I
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SGT
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
3.3A
Power dissipation
1.6W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяGT1K2N10I
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySGT
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current3.3A
Power dissipation1.6W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge4.2nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 3.3A; 1.6W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.