Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT180P08M

GT180P08M
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
SGT
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-80 V
Drain current
-89 A
Рассеиваемая мощность
245 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяGT180P08M
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияSGT
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-80 V
Drain current-89 A
Рассеиваемая мощность245 W
КорпусTO263
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge62nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; SGT; unipolar; -80V; -89A; 245W; TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.