GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT130N10D3

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: SGT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100 V
Drain current: 52 A
Power dissipation: 71 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	GT130N10D3
Производитель	GOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	SGT
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100 V
Drain current	52 A
Power dissipation	71 W
Корпус	DFN3x3-8
Gate-source voltage	±20 V
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	18nC
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 52A; 71W; DFN3x3-8

Документация

Документы пока не предоставлены.