Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT110N06SH

GT110N06SH
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
12 A
Рассеиваемая мощность
3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяGT110N06SH
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current12 A
Рассеиваемая мощность3 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge17nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 12A; 3W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.