Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT110N06S

GT110N06S
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SGT
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
14 A
Power dissipation
3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 3 996 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%196,39 ₽

Сумма · с НДС 22%196,39 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1196,39 ₽
от 1099,53 ₽
от 2587,90 ₽
от 10078,17 ₽
от 50073,41 ₽
от 100069,02 ₽
от 400063,68 ₽
от 800061,78 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяGT110N06S
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSGT
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current14 A
Power dissipation3 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge24nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 14A; 3W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.