Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT110N06M

GT110N06M
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SGT
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
45 A
Рассеиваемая мощность
52 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяGT110N06M
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSGT
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current45 A
Рассеиваемая мощность52 W
КорпусTO263
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge31nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 45A; 52W; TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.