Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT110N06D3

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SGT
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
35 A
Power dissipation
25 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяGT110N06D3
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSGT
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current35 A
Power dissipation25 W
КорпусDFN3x3-8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge24nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 35A; 25W; DFN3x3-8

Документация

Документы пока не предоставлены.