Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT10N10

GT10N10
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SGT
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
9 A
Power dissipation
23 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяGT10N10
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSGT
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current9 A
Power dissipation23 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge5nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 9A; 23W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.