Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT105N10K

GT105N10K
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SGT
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
63 A
Power dissipation
80 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяGT105N10K
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSGT
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current63 A
Power dissipation80 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge52nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 63A; 80W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.