Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT100N04D3

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SGT
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40V
Drain current
35A
Power dissipation
25W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяGT100N04D3
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySGT
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40V
Drain current35A
Power dissipation25W
КорпусDFN3x3-8
Gate-source voltage±20V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge13nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 40V; 35A; 25W; DFN3x3-8

Документация

Документы пока не предоставлены.