Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT095N10S

GT095N10S
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SGT
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
11 A
Power dissipation
3.1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяGT095N10S
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSGT
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current11 A
Power dissipation3.1 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge33nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 11A; 3.1W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.