Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT090N06K

GT090N06K
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SGT
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
45 A
Power dissipation
52 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяGT090N06K
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySGT
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current45 A
Power dissipation52 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge22nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 45A; 52W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.