Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT090N06D52

Type of transistor
N-MOSFET x2
Технология
SGT
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
40 A
Рассеиваемая мощность
62 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 4 998 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%184,38 ₽

Сумма · с НДС 22%184,38 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1184,38 ₽
от 10166,50 ₽
от 25146,77 ₽
от 100136,81 ₽
от 500127,59 ₽
от 1000118,74 ₽
от 2500115,06 ₽
от 5000112,47 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяGT090N06D52
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET x2
ТехнологияSGT
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current40 A
Рассеиваемая мощность62 W
КорпусDFN5x6-8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge22nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; SGT; unipolar; 60V; 40A; 62W; DFN5x6-8

Документация

Документ производителя