Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT088N06T

GT088N06T
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SGT
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
60 A
Power dissipation
75 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяGT088N06T
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSGT
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current60 A
Power dissipation75 W
КорпусTO220
Gate-source voltage±20 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge21nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 60A; 75W; TO220

Документация

Документы пока не предоставлены.