Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT085N10TH

GT085N10TH
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SGT
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
70 A
Power dissipation
100 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяGT085N10TH
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSGT
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current70 A
Power dissipation100 W
КорпусTO220
Gate-source voltage±20 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge40nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 70A; 100W; TO220

Документация

Документы пока не предоставлены.