Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT070N15M

GT070N15M
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SGT
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
140 A
Power dissipation
258 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяGT070N15M
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSGT
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current140 A
Power dissipation258 W
КорпусTO263
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge89nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 150V; 140A; 258W; TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.