Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT065P06M

GT065P06M
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
SGT
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-103 A
Power dissipation
178 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяGT065P06M
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияSGT
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-103 A
Power dissipation178 W
КорпусTO263
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge62nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; SGT; unipolar; -60V; -103A; 178W; TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.