Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT065P06D5

Type of transistor
P-MOSFET
Технология
SGT
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-103 A
Power dissipation
178 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяGT065P06D5
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияSGT
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-103 A
Power dissipation178 W
КорпусDFN5x6-8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge99nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; SGT; unipolar; -60V; -103A; 178W; DFN5x6-8

Документация

Документы пока не предоставлены.