Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT045N10T

GT045N10T
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SGT
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
120A
Power dissipation
180W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяGT045N10T
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySGT
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current120A
Power dissipation180W
КорпусTO220
Gate-source voltage±20V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge78nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 120A; 180W; TO220

Документация

Документы пока не предоставлены.