Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT045N10Q

GT045N10Q
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SGT
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
145 A
Power dissipation
208 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяGT045N10Q
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSGT
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current145 A
Power dissipation208 W
КорпусTO247
Gate-source voltage±20 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge78nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 145A; 208W; TO247

Документация

Документы пока не предоставлены.