Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT040N10M

GT040N10M
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SGT
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
140 A
Power dissipation
200 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяGT040N10M
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSGT
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current140 A
Power dissipation200 W
КорпусTO263
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.1µC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 140A; 200W; TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.