Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT025N06AT

GT025N06AT
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SGT
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
170 A
Power dissipation
215 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяGT025N06AT
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSGT
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current170 A
Power dissipation215 W
КорпусTO220
Gate-source voltage±20 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge70nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 170A; 215W; TO220

Документация

Документы пока не предоставлены.