Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT025N06AQ

GT025N06AQ
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SGT
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
175 A
Power dissipation
220 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяGT025N06AQ
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSGT
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current175 A
Power dissipation220 W
КорпусTO247
Gate-source voltage±20 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge70nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 175A; 220W; TO247

Документация

Документы пока не предоставлены.