Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT025N06AD5

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SGT
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
170 A
Power dissipation
215 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяGT025N06AD5
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSGT
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current170 A
Power dissipation215 W
КорпусDFN5x6-8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge102nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 170A; 215W; DFN5x6-8

Документация

Документы пока не предоставлены.