Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT023N10TL

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SGT
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
330 A
Power dissipation
395 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяGT023N10TL
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSGT
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current330 A
Power dissipation395 W
КорпусTOLL
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge121nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 330A; 395W; TOLL

Документация

Документы пока не предоставлены.