Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT023N10M

GT023N10M
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SGT
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
226 A
Рассеиваемая мощность
265 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяGT023N10M
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSGT
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current226 A
Рассеиваемая мощность265 W
КорпусTO263
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge137nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 226A; 265W; TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.