Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT019N04D5

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SGT
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
120 A
Power dissipation
63 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяGT019N04D5
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSGT
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current120 A
Power dissipation63 W
КорпусDFN5x6-8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge95nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 40V; 120A; 63W; DFN5x6-8

Документация

Документы пока не предоставлены.