Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT015N10TL

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SGT
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
365 A
Рассеиваемая мощность
395 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяGT015N10TL
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSGT
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current365 A
Рассеиваемая мощность395 W
КорпусTOLL
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge260nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 365A; 395W; TOLL

Документация

Документы пока не предоставлены.