GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT015N06TL

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SGT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 350A
Power dissipation: 350W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	GT015N06TL
Производитель	GOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistor	N-MOSFET
Technology	SGT
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	60V
Drain current	350A
Power dissipation	350W
Корпус	TOLL
Gate-source voltage	±20V
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	204nC
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 350A; 350W; TOLL

Документация

Документы пока не предоставлены.