Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT013N04TI

GT013N04TI
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SGT
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
220 A
Pulsed drain current
550 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяGT013N04TI
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSGT
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current220 A
Pulsed drain current550 A
Рассеиваемая мощность90 W
КорпусTO220
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.5 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge50nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 40V; 220A; Idm: 550A; 90W; TO220

Документация

Документы пока не предоставлены.