Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT013N04Q

GT013N04Q
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SGT
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40V
Drain current
195A
Power dissipation
96W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяGT013N04Q
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySGT
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40V
Drain current195A
Power dissipation96W
КорпусTO247
Gate-source voltage±20V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge50nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 40V; 195A; 96W; TO247

Документация

Документы пока не предоставлены.