Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT013N04D5

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SGT
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
195 A
Power dissipation
96 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяGT013N04D5
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSGT
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current195 A
Power dissipation96 W
КорпусDFN5x6-8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge50nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 40V; 195A; 96W; DFN5x6-8

Документация

Документы пока не предоставлены.