Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT011N03TLE

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SGT
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
250A
Power dissipation
300W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяGT011N03TLE
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySGT
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current250A
Power dissipation300W
КорпусTOLL
Gate-source voltage±18V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge84nC
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 30V; 250A; 300W; TOLL; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.