Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT011N03TE

GT011N03TE
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SGT
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
209A
Power dissipation
89W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяGT011N03TE
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySGT
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current209A
Power dissipation89W
КорпусTO220
Gate-source voltage±20V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge98nC
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 30V; 209A; 89W; TO220; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.