Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GT011N03D5E

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SGT
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
209 A
Power dissipation
89 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяGT011N03D5E
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSGT
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current209 A
Power dissipation89 W
КорпусDFN5x6-8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge84nC
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 30V; 209A; 89W; DFN5x6-8; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.