INFINEON

Транзистор GS0650186LRMRXUSA1

PDFN8Изображение корпуса

Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Технология: GaN
Drain-source voltage: 700 V
Drain current: 23 A
Корпус: PDFN8
On-state resistance: 90 mΩ

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	GS0650186LRMRXUSA1
Производитель	INFINEON
Type of transistor	N-JFET / N-MOSFET
Технология	GaN
Drain-source voltage	700 V
Drain current	23 A
Корпус	PDFN8
On-state resistance	90 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный

Исходное описание поставщика

Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; 700V; 23A; PDFN8

Документация

Документы пока не предоставлены.