INFINEON
Транзистор GS0650146LMRXUSA1
PDFN8Изображение корпуса
- Type of transistor
- N-JFET / N-MOSFET
- Технология
- GaN
- Drain-source voltage
- 700 V
- Drain current
- 15.2 A
- Корпус
- PDFN8
- On-state resistance
- 138 mΩ
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | GS0650146LMRXUSA1 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | N-JFET / N-MOSFET |
| Технология | GaN |
| Drain-source voltage | 700 V |
| Drain current | 15.2 A |
| Корпус | PDFN8 |
| On-state resistance | 138 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 2.7nC |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; 700V; 15.2A; PDFN8
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.