Антава

INFINEON

Транзистор GS0650116LMRXUSA1

Type of transistor
N-JFET / N-MOSFET
Технология
GaN
Drain-source voltage
700 V
Drain current
12.2 A
Корпус
PDFN8
On-state resistance
0.18 Ω
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяGS0650116LMRXUSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-JFET / N-MOSFET
ТехнологияGaN
Drain-source voltage700 V
Drain current12.2 A
КорпусPDFN8
On-state resistance0.18 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Исходное описание поставщика

Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; 700V; 12.2A; PDFN8

Документация

Документы пока не предоставлены.