Антава

STARPOWER SEMICONDUCTOR

Транзистор GD900HFY120P1S

Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
transistor/transistor
Topology
IGBT half-bridge
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
900 A
Корпус
P1.0
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяGD900HFY120P1S
ПроизводительSTARPOWER SEMICONDUCTOR
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structuretransistor/transistor
TopologyIGBT half-bridge
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current900 A
КорпусP1.0
Electrical mountingscrew
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current1.8kA
ТехнологияAdvanced Trench FS IGBT
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A

Документация

Документы пока не предоставлены.