STARPOWER SEMICONDUCTOR
Транзистор GD80TLQ120F1S
F1.2Изображение корпуса
- Type of semiconductor module
- IGBT
- Semiconductor structure
- transistor/transistor
- Topology
- 3-level inverter TNPC, NTC thermistor
- Max. off-state voltage
- 1.2 kV
- Collector current
- 80 A
- Корпус
- F1.2
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | GD80TLQ120F1S |
|---|---|
| Производитель | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
| Type of semiconductor module | IGBT |
| Semiconductor structure | transistor/transistor |
| Topology | 3-level inverter TNPC, NTC thermistor |
| Max. off-state voltage | 1.2 kV |
| Collector current | 80 A |
| Корпус | F1.2 |
| Electrical mounting | Press-in PCB |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Pulsed collector current | 160 A |
| Технология | Advanced Trench FS Fast IGBT |
| Mechanical mounting | screw |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Module: IGBT; transistor/transistor; 3-level inverter TNPC; F1.2
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.