Антава

STARPOWER SEMICONDUCTOR

Транзистор GD75HFX170C1S

Фото уточняется
Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
transistor/transistor
Topology
IGBT half-bridge
Max. off-state voltage
1.7 kV
Collector current
75 A
Корпус
C1 34mm
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяGD75HFX170C1S
ПроизводительSTARPOWER SEMICONDUCTOR
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structuretransistor/transistor
TopologyIGBT half-bridge
Max. off-state voltage1.7 kV
Collector current75 A
КорпусC1 34mm
Electrical mountingFASTON connectors, screw
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current150 A
ТехнологияTrench FS IGBT
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A

Документация

Документы пока не предоставлены.