Антава

STARPOWER SEMICONDUCTOR

Транзистор GD50FSX65L2S

Фото уточняется
Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
transistor/transistor
Topology
IGBT three-phase bridge OE output, NTC thermistor
Max. off-state voltage
650 V
Collector current
50 A
Корпус
L2.1
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяGD50FSX65L2S
ПроизводительSTARPOWER SEMICONDUCTOR
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structuretransistor/transistor
TopologyIGBT three-phase bridge OE output, NTC thermistor
Max. off-state voltage650 V
Collector current50 A
КорпусL2.1
Electrical mountingPress-in PCB
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current100 A
ТехнологияTrench FS IGBT
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 650V; Ic: 50A; L2.1

Документация

Документы пока не предоставлены.