Антава

STARPOWER SEMICONDUCTOR

Транзистор GD3600SGY120C4S

Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
common gate, transistor/transistor
Topology
IGBT x3
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
3.6kA
Корпус
C4 140mm
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяGD3600SGY120C4S
ПроизводительSTARPOWER SEMICONDUCTOR
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structurecommon gate, transistor/transistor
TopologyIGBT x3
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current3.6kA
КорпусC4 140mm
Electrical mountingscrew
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current7.2kA
ТехнологияAdvanced Trench FS IGBT
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x3; screw

Документация

Документы пока не предоставлены.