Антава

STARPOWER SEMICONDUCTOR

Транзистор GD300HTY120C7S

Фото уточняется
Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
transistor/transistor
Topology
IGBT half-bridge x3, NTC thermistor
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
300 A
Корпус
C7
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяGD300HTY120C7S
ПроизводительSTARPOWER SEMICONDUCTOR
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structuretransistor/transistor
TopologyIGBT half-bridge x3, NTC thermistor
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current300 A
КорпусC7
Electrical mountingPress-in PCB, screw
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current600 A
ТехнологияAdvanced Trench FS IGBT
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; C7

Документация

Документы пока не предоставлены.