Антава

STARPOWER SEMICONDUCTOR

Транзистор GD300HFX170C2S

Фото уточняется
Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
transistor/transistor
Topology
IGBT half-bridge
Max. off-state voltage
1.7kV
Collector current
300A
Корпус
C2 62mm
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяGD300HFX170C2S
ПроизводительSTARPOWER SEMICONDUCTOR
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structuretransistor/transistor
TopologyIGBT half-bridge
Max. off-state voltage1.7kV
Collector current300A
КорпусC2 62mm
Electrical mountingFASTON connectors, screw
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current600A
TechnologyTrench FS IGBT
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A

Документация

Документы пока не предоставлены.