Антава

STARPOWER SEMICONDUCTOR

Транзистор GD25PJY120F5S

Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
diode/transistor
Topology
boost chopper, IGBT three-phase bridge OE output, NTC thermistor, three-phase diode bridge
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
25 A
Корпус
F5.1
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяGD25PJY120F5S
ПроизводительSTARPOWER SEMICONDUCTOR
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structurediode/transistor
Topologyboost chopper, IGBT three-phase bridge OE output, NTC thermistor, three-phase diode bridge
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current25 A
КорпусF5.1
Electrical mountingPress-in PCB
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current50 A
ТехнологияAdvanced Trench FS IGBT
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F5.1

Документация

Документы пока не предоставлены.